GKI04076 - аналоги и даташиты транзистора

 

GKI04076 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GKI04076
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для GKI04076

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GKI04076 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  sanken-ele
 gki04076.pdf pdf_icon

GKI04076

40 V, 26 A, 6.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04076 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 8.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 23.3 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 7.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 29

 8.1. Size:242K  sanken-ele
 gki04031.pdf pdf_icon

GKI04076

40 V, 40 A, 2.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04031 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) ---------- 3.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 51.0 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID =

 8.2. Size:242K  sanken-ele
 gki04048.pdf pdf_icon

GKI04076

40 V, 26 A, 4.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04048 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 5.4 m max. (VGS = 10 V, ID = 35.4 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID =

 9.1. Size:361K  sanken-ele
 gki04101.pdf pdf_icon

GKI04076

40 V, 26 A, 9.3 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04101 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) -------- 11.6 m max. (VGS = 10 V, ID = 18.8 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 5.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 23.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... G1818 , G2002L , GKI03026 , GKI03039 , GKI03061 , GKI03080 , GKI04031 , GKI04048 , STP80NF70 , GKI04101 , GKI06071 , GKI06109 , GKI06185 , GKI06259 , GKI07113 , GKI07174 , GKI07301 .

 

 
Back to Top

 


 
.