Справочник MOSFET. GKI04101

 

GKI04101 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GKI04101
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0116 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для GKI04101

 

 

GKI04101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  sanken-ele
 gki04101.pdf

GKI04101 GKI04101

40 V, 26 A, 9.3 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04101 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) -------- 11.6 m max. (VGS = 10 V, ID = 18.8 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 5.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 23.

 9.1. Size:242K  sanken-ele
 gki04031.pdf

GKI04101 GKI04101

40 V, 40 A, 2.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04031 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) ---------- 3.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 51.0 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID =

 9.2. Size:242K  sanken-ele
 gki04048.pdf

GKI04101 GKI04101

40 V, 26 A, 4.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04048 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 5.4 m max. (VGS = 10 V, ID = 35.4 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID =

 9.3. Size:361K  sanken-ele
 gki04076.pdf

GKI04101 GKI04101

40 V, 26 A, 6.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04076 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 8.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 23.3 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 7.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 29

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top