Справочник MOSFET. GKI06185

 

GKI06185 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GKI06185
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0163 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для GKI06185

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GKI06185 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  sanken-ele
 gki06185.pdf pdf_icon

GKI06185

60 V, 26 A, 11.8 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI06185 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) -------- 16.3 m max. (VGS = 10 V, ID = 15.5 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 9.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 19

 8.1. Size:242K  sanken-ele
 gki06109.pdf pdf_icon

GKI06185

60 V, 26 A, 7.0 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI06109 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 9.5 m max. (VGS = 10 V, ID = 23.6 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------16.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID =

 9.1. Size:242K  sanken-ele
 gki06071.pdf pdf_icon

GKI06185

60 V, 40 A, 4.8 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI06071 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) ---------- 6.5 m max. (VGS = 10 V, ID = 34.0 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------26.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID =

 9.2. Size:360K  sanken-ele
 gki06259.pdf pdf_icon

GKI06185

60 V, 22 A, 16.5 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI06259 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 22 A RDS(ON) -------- 21.7 m max. (VGS = 10 V, ID = 12.5 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 6.6 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 15

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GKI03061 , GKI03080 , GKI04031 , GKI04048 , GKI04076 , GKI04101 , GKI06071 , GKI06109 , 18N50 , GKI06259 , GKI07113 , GKI07174 , GKI07301 , GKI10194 , GKI10301 , GKI10526 , GM2301 .

History: 2SJ646 | HIRFZ24NF

 

 
Back to Top

 


 
.