GMP80N75 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: GMP80N75
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 437 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам