Справочник MOSFET. GP1M003A080XG

 

GP1M003A080XG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GP1M003A080XG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 36 ns
   Выходная емкость (Cd): 65 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-251

 Аналог (замена) для GP1M003A080XG

 

 

GP1M003A080XG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:492K  globalpower
gp1m003a080xg.pdf

GP1M003A080XG
GP1M003A080XG

GP1M003A080CG GP1M003A080PG Features VDSS = 880 V @Tjmax Low gate charge ID = 3A 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RDS(on) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark GP1M003A080CH/GP1M003A080PH D-PAK/I-PAK GP1M003A080CH/GP1M003A080PH Halog

 2.1. Size:388K  globalpower
gp1m003a080xx.pdf

GP1M003A080XG
GP1M003A080XG

GP1M003A080H/ GP1M003A080FGP1M003A080HH/ GP1M003A080FHVDSS = 880 V @TjmaxFeaturesID = 3A Low gate chargeRDS(ON) = 4.2 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkGP1M003A080H/ GP1M003A080F TO-220 / TO-220F GP1M003A080H/ GP1M003A080F

 5.1. Size:418K  globalpower
gp1m003a050hg-fg.pdf

GP1M003A080XG
GP1M003A080XG

GP1M003A050HGGP1M003A050FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 2.5A

 5.2. Size:517K  globalpower
gp1m003a050xg.pdf

GP1M003A080XG
GP1M003A080XG

GP1M003A050CG GP1M003A050PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 5.3. Size:941K  globalpower
gp1m003a090xx.pdf

GP1M003A080XG
GP1M003A080XG

GP1M003A090C GP1M003A090PH N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 2.5A

 5.4. Size:482K  globalpower
gp1m003a040xg.pdf

GP1M003A080XG
GP1M003A080XG

GP1M003A040CG GP1M003A040PG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 2A 100% avalanche tested RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D D-PAK I-PAK G S Device Package Marking Remark GP1M003A040CG D-PAK GP1M003A040CG RoHS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top