Справочник MOSFET. GP1M008A050XX

 

GP1M008A050XX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M008A050XX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
 

 Аналог (замена) для GP1M008A050XX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M008A050XX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  globalpower
 gp1m008a050xx.pdf pdf_icon

GP1M008A050XX

GP1M008A050HGGP1M008A050FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 8A

 2.1. Size:502K  globalpower
 gp1m008a050xg.pdf pdf_icon

GP1M008A050XX

GP1M008A050CG GP1M008A050PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 5.1. Size:1382K  globalpower
 gp1m008a080xx.pdf pdf_icon

GP1M008A050XX

GP1M008A080HGP1M008A080FHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested800V 8A

 5.2. Size:381K  globalpower
 gp1m008a025xx.pdf pdf_icon

GP1M008A050XX

GP1M008A025HGGP1M008A025FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested250V 8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP1M005A050XXX , GP1M006A065XH , GP1M006A065XX , GP1M006A070XX , GP1M007A065XX , GP1M007A090XX , GP1M008A025XX , GP1M008A050XG , IRFP064N , GP1M008A080XX , GP1M009A020XG , GP1M009A020XX , GP1M009A050XXX , GP1M009A060XX , GP1M009A070X , GP1M009A090N , GP1M009A090XX .

History: APT12F60K

 

 
Back to Top

 


 
.