GP1M009A060XX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GP1M009A060XX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 158 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 660 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 39 ns
Выходная емкость (Cd): 123 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-220F
Аналог (замена) для GP1M009A060XX
GP1M009A060XX Datasheet (PDF)
gp1m009a060xx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A060HGP1M009A060FHVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.0 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A060H TO-220 GP1M009A060H RoHSGP1M009A060FH TO-220F GP1M009A060FH Halogen FreeAbsolute Ma
gp1m009a090xx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A090HGP1M009A090FHVDSS = 990 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHSGP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen FreeAbsolute M
gp1m009a090n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A090N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 900V 9.5A
gp1m009a050xxx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A050HSGP1M009A050FSHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 8.5A
gp1m009a070x.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A070HGP1M006A070FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge700V 7A
gp1m009a020xx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A020HGGP1M009A020FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested200V 9A
gp1m009a020xg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A020CG GP1M009A020PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .