GP1M009A060XX datasheet, аналоги, параметры транзистора

GP1M009A060XX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP1M009A060XX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 660 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220F

Аналог (замена) для GP1M009A060XX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

GP1M009A060XX даташит

..1. Size:390K globalpower
gp1m009a060xx.pdf pdf_icon

GP1M009A060H GP1M009A060FH VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(ON) = 1.0 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M009A060H TO-220 GP1M009A060H RoHS GP1M009A060FH TO-220F GP1M009A060FH Halogen Free Absolute Ma

5.1. Size:390K globalpower
gp1m009a090xx.pdf pdf_icon

GP1M009A090H GP1M009A090FH VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHS GP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen Free Absolute M

5.2. Size:539K globalpower
gp1m009a090n.pdf pdf_icon