Справочник MOSFET. GP1M009A060XX

 

GP1M009A060XX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M009A060XX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 660 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
 

 Аналог (замена) для GP1M009A060XX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M009A060XX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:390K  globalpower
 gp1m009a060xx.pdf pdf_icon

GP1M009A060XX

GP1M009A060HGP1M009A060FHVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.0 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A060H TO-220 GP1M009A060H RoHSGP1M009A060FH TO-220F GP1M009A060FH Halogen FreeAbsolute Ma

 5.1. Size:390K  globalpower
 gp1m009a090xx.pdf pdf_icon

GP1M009A060XX

GP1M009A090HGP1M009A090FHVDSS = 990 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHSGP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen FreeAbsolute M

 5.2. Size:539K  globalpower
 gp1m009a090n.pdf pdf_icon

GP1M009A060XX

GP1M009A090N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 900V 9.5A

 5.3. Size:408K  globalpower
 gp1m009a050xxx.pdf pdf_icon

GP1M009A060XX

GP1M009A050HSGP1M009A050FSHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 8.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP1M007A090XX , GP1M008A025XX , GP1M008A050XG , GP1M008A050XX , GP1M008A080XX , GP1M009A020XG , GP1M009A020XX , GP1M009A050XXX , IRF840 , GP1M009A070X , GP1M009A090N , GP1M009A090XX , GP1M010A060XX , GP1M010A080N , GP1M010A080XX , GP1M011A050XX , GP1M011A050XXX .

 

 
Back to Top

 


 
.