GP1M009A070X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP1M009A070X

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220F

Аналог (замена) для GP1M009A070X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M009A070X даташит

 ..1. Size:378K  globalpower
 gp1m009a070x.pdf pdf_icon

GP1M009A070X

GP1M009A070H GP1M006A070F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 7A

 5.1. Size:390K  globalpower
 gp1m009a090xx.pdf pdf_icon

GP1M009A070X

GP1M009A090H GP1M009A090FH VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHS GP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen Free Absolute M

 5.2. Size:539K  globalpower
 gp1m009a090n.pdf pdf_icon

GP1M009A070X

GP1M009A090N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 900V 9.5A

 5.3. Size:408K  globalpower
 gp1m009a050xxx.pdf pdf_icon

GP1M009A070X

GP1M009A050HS GP1M009A050FSH N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 8.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP1M008A025XX, GP1M008A050XG, GP1M008A050XX, GP1M008A080XX, GP1M009A020XG, GP1M009A020XX, GP1M009A050XXX, GP1M009A060XX, 20N60, GP1M009A090N, GP1M009A090XX, GP1M010A060XX, GP1M010A080N, GP1M010A080XX, GP1M011A050XX, GP1M011A050XXX, GP1M012A060XX