Справочник MOSFET. GP1M009A070X

 

GP1M009A070X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GP1M009A070X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 198 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
   Время нарастания (tr): 24 ns
   Выходная емкость (Cd): 145 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F

 Аналог (замена) для GP1M009A070X

 

 

GP1M009A070X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  globalpower
gp1m009a070x.pdf

GP1M009A070X
GP1M009A070X

GP1M009A070HGP1M006A070FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge700V 7A

 5.1. Size:390K  globalpower
gp1m009a090xx.pdf

GP1M009A070X
GP1M009A070X

GP1M009A090HGP1M009A090FHVDSS = 990 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHSGP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen FreeAbsolute M

 5.2. Size:539K  globalpower
gp1m009a090n.pdf

GP1M009A070X
GP1M009A070X

GP1M009A090N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 900V 9.5A

 5.3. Size:408K  globalpower
gp1m009a050xxx.pdf

GP1M009A070X
GP1M009A070X

GP1M009A050HSGP1M009A050FSHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 8.5A

 5.4. Size:405K  globalpower
gp1m009a020xx.pdf

GP1M009A070X
GP1M009A070X

GP1M009A020HGGP1M009A020FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested200V 9A

 5.5. Size:503K  globalpower
gp1m009a020xg.pdf

GP1M009A070X
GP1M009A070X

GP1M009A020CG GP1M009A020PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

 5.6. Size:390K  globalpower
gp1m009a060xx.pdf

GP1M009A070X
GP1M009A070X

GP1M009A060HGP1M009A060FHVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.0 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A060H TO-220 GP1M009A060H RoHSGP1M009A060FH TO-220F GP1M009A060FH Halogen FreeAbsolute Ma

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top