Справочник MOSFET. GP1M009A070X

 

GP1M009A070X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M009A070X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M009A070X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  globalpower
 gp1m009a070x.pdf pdf_icon

GP1M009A070X

GP1M009A070HGP1M006A070FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge700V 7A

 5.1. Size:390K  globalpower
 gp1m009a090xx.pdf pdf_icon

GP1M009A070X

GP1M009A090HGP1M009A090FHVDSS = 990 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHSGP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen FreeAbsolute M

 5.2. Size:539K  globalpower
 gp1m009a090n.pdf pdf_icon

GP1M009A070X

GP1M009A090N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 900V 9.5A

 5.3. Size:408K  globalpower
 gp1m009a050xxx.pdf pdf_icon

GP1M009A070X

GP1M009A050HSGP1M009A050FSHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 8.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IPD80R280P7 | 2SK1359 | IPD50R280CE | IRCP054 | 2SK2045 | NDT6N70 | CHM50N06PAGP

 

 
Back to Top

 


 
.