GP1T025A120B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP1T025A120B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 481 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для GP1T025A120B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1T025A120B даташит

 ..1. Size:420K  globalpower
 gp1t025a120b.pdf pdf_icon

GP1T025A120B

PRELIMINARY GP1T025A120B VDS 1200 V RDS,on 25 mW ID 100 A 1200V SiC MOSFET TM TM TM Amp+ Features Amp+ Benefits Amp+ Applications Low on-resistance High system efficiency Motor drives High speed switching with low capacitance Higher system switching frequency Switch mode power supplies Fast reverse recovery Smaller cooing system Solar inverte

 9.1. Size:420K  globalpower
 gp1t040a120b.pdf pdf_icon

GP1T025A120B

PRELIMINARY GP1T040A120B VDS 1200 V RDS,on 40 mW ID 62 A 1200V SiC MOSFET TM TM TM Amp+ Features Amp+ Benefits Amp+ Applications Low on-resistance High system efficiency Motor drives High speed switching with low capacitance Higher system switching frequency Switch mode power supplies Fast reverse recovery Smaller cooing system Solar inverter

 9.2. Size:421K  globalpower
 gp1t080a120b.pdf pdf_icon

GP1T025A120B

PRELIMINARY GP1T080A120B VDS 1200 V RDS,on 80 mW ID 32 A 1200V SiC MOSFET TM TM TM Amp+ Features Amp+ Benefits Amp+ Applications Low on-resistance High system efficiency Motor drives High speed switching with low capacitance Higher system switching frequency Switch mode power supplies Fast reverse recovery Smaller cooing system Solar inverter

 9.3. Size:379K  globalpower
 gp1t072a060b.pdf pdf_icon

GP1T025A120B

PRELIMINARY GP1T072A060B VDS 600 V RDS,on 72 mW ID 40 A 600V SiC MOSFET TM TM TM Amp+ Features Amp+ Benefits Amp+ Applications Low on-resistance High system efficiency Motor drives High speed switching with low capacitance Higher system switching frequency Switch mode power supplies Fast reverse recovery Smaller cooing system Solar inverter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP1M016A060N, GP1M016A060XX, GP1M018A020XG, GP1M018A020XX, GP1M020A050N, GP1M020A060M, GP1M020A060N, GP1M023A050N, 7N65, GP1T036A060B, GP1T040A120B, GP1T072A060B, GP1T080A120B, GP1T160A120B, GP2M002A060XG, GP2M002A060XX, GP2M002A065XG