Справочник MOSFET. GP2M012A060X

 

GP2M012A060X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GP2M012A060X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 231 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 54 ns
   Выходная емкость (Cd): 182 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F

 Аналог (замена) для GP2M012A060X

 

 

GP2M012A060X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  globalpower
gp2m012a060x.pdf

GP2M012A060X GP2M012A060X

GP2M012A060HGP2M012A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 12A

 5.1. Size:570K  globalpower
gp2m012a080ng.pdf

GP2M012A060X GP2M012A060X

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 8.1. Size:406K  globalpower
gp2m010a060x.pdf

GP2M012A060X GP2M012A060X

GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A

 8.2. Size:242K  globalpower
gp2m013a050f.pdf

GP2M012A060X GP2M012A060X

GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A

 8.3. Size:574K  globalpower
gp2m011a090ng.pdf

GP2M012A060X GP2M012A060X

GP2M011A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A

 8.4. Size:401K  globalpower
gp2m010a065x.pdf

GP2M012A060X GP2M012A060X

GP2M010A065HGP2M010A065FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge650V 9.5A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top