Справочник MOSFET. GP2M012A060X

 

GP2M012A060X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP2M012A060X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
 

 Аналог (замена) для GP2M012A060X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M012A060X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  globalpower
 gp2m012a060x.pdf pdf_icon

GP2M012A060X

GP2M012A060HGP2M012A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 12A

 5.1. Size:570K  globalpower
 gp2m012a080ng.pdf pdf_icon

GP2M012A060X

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 8.1. Size:406K  globalpower
 gp2m010a060x.pdf pdf_icon

GP2M012A060X

GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A

 8.2. Size:242K  globalpower
 gp2m013a050f.pdf pdf_icon

GP2M012A060X

GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP2M007A080F , GP2M008A060XGX , GP2M008A060XXX , GP2M009A090FG , GP2M009A090NG , GP2M010A060X , GP2M010A065X , GP2M011A090NG , IRFP450 , GP2M012A080NG , GP2M013A050F , GP2M020A050N , GP2M020A050X , GP2M020A060N , GP2M023A050N , GSM1012 , GSM1012E .

History: STB100NF04T4 | AP2309GN | 15N12

 

 
Back to Top

 


 
.