GP2M012A060X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GP2M012A060X
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 231 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 54 ns
Выходная емкость (Cd): 182 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-220F
Аналог (замена) для GP2M012A060X
GP2M012A060X Datasheet (PDF)
gp2m012a060x.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP2M012A060HGP2M012A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 12A
gp2m012a080ng.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A
gp2m010a060x.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A
gp2m013a050f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A
gp2m011a090ng.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP2M011A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A
gp2m010a065x.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP2M010A065HGP2M010A065FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge650V 9.5A
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .