GSM1013 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM1013

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

Аналог (замена) для GSM1013

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1013 даташит

 ..1. Size:1012K  globaltech semi
 gsm1013.pdf pdf_icon

GSM1013

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1013, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A,RDS(ON)=620m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.5A,RDS(ON)=860m @VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A,RDS(ON)=1450m @VGS=-1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-V

 0.1. Size:621K  globaltech semi
 gsm1013e.pdf pdf_icon

GSM1013

GSM1013E 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features -20V/-0.6A,RDS(ON)=800m @VGS=-4.5V GSM1013E, P-Channel enhancement mode -20V/-0.5A,RDS(ON)=950m @VGS=-2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.4A,RDS(ON)=1250m @VGS=-1.8V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Low Offset (Error) Voltage Low-Voltage Operation These devi

 8.1. Size:995K  globaltech semi
 gsm1012e.pdf pdf_icon

GSM1013

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1012E, N-Channel enhancement mode 20V/0.6A,RDS(ON)=360m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/0.5A,RDS(ON)=420m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These 20V/0.4A,RDS(ON)=560m @VGS=1.8V devices are particularly suited for low voltage Low Offset (Error) Voltage power

 8.2. Size:987K  globaltech semi
 gsm1012.pdf pdf_icon

GSM1013

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1012, N-Channel enhancement mode 20V/0.6A,RDS(ON)=360m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/0.5A,RDS(ON)=420m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.4A,RDS(ON)=560m@VGS=1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-Voltage Operation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP2M012A080NG, GP2M013A050F, GP2M020A050N, GP2M020A050X, GP2M020A060N, GP2M023A050N, GSM1012, GSM1012E, IRF1407, GSM1013E, GSM1016, GSM1023, GSM1024, GSM1024E, GSM1026S, GSM1032, GSM1034