GSM1303 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM1303

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для GSM1303

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1303 даташит

 ..1. Size:1006K  globaltech semi
 gsm1303.pdf pdf_icon

GSM1303

GSM1303 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1303, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A , RDS(ON)= 600m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.35A , RDS(ON)= 800m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A , RDS(ON)= 1300m @VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These de

 8.1. Size:934K  globaltech semi
 gsm1304.pdf pdf_icon

GSM1303

GSM1304 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1304, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A , RDS(ON)= 280m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.5A , RDS(ON)= 340m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A , RDS(ON)= 680m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These device

 8.2. Size:936K  globaltech semi
 gsm1304e.pdf pdf_icon

GSM1303

GSM1304E 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1304E, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A , RDS(ON)= 320m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.5A , RDS(ON)= 450m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A , RDS(ON)= 580m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devi

 8.3. Size:1193K  globaltech semi
 gsm1306.pdf pdf_icon

GSM1303

GSM1306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1306, N-Channel enhancement mode 30V/1.5A , RDS(ON)= 430m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/1.2A , RDS(ON)= 580m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A , RDS(ON)= 860m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These device

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM1024E, GSM1026S, GSM1032, GSM1034, GSM1072, GSM1072E, GSM1073, GSM1073E, 2N60, GSM1304, GSM1304E, GSM1306, GSM1330S, GSM1413, GSM1433, GSM1443, GSM1563