GSM1304E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GSM1304E
Маркировка: 04'
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.06 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 20 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.32 Ohm
Тип корпуса: SOT-323
GSM1304E Datasheet (PDF)
gsm1304e.pdf
GSM1304E 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1304E, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A , RDS(ON)= 320m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.5A , RDS(ON)= 450m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A , RDS(ON)= 580m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devi
gsm1304.pdf
GSM1304 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1304, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A , RDS(ON)= 280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.5A , RDS(ON)= 340m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A , RDS(ON)= 680m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These device
gsm1306.pdf
GSM1306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1306, N-Channel enhancement mode 30V/1.5A , RDS(ON)= 430m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/1.2A , RDS(ON)= 580m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A , RDS(ON)= 860m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These device
gsm1303.pdf
GSM1303 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1303, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A , RDS(ON)= 600m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.35A , RDS(ON)= 800m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A , RDS(ON)= 1300m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These de
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
