GSM3016S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM3016S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-252-2L

Аналог (замена) для GSM3016S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3016S даташит

 ..1. Size:926K  globaltech semi
 gsm3016s.pdf pdf_icon

GSM3016S

GSM3016S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3016S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/30A,RDS(ON)=9m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltag

 8.1. Size:937K  globaltech semi
 gsm3019s.pdf pdf_icon

GSM3016S

GSM3019S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3019S, N-Channel enhancement mode 30V/35A,RDS(ON)=9m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/20A,RDS(ON)=13m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volta

 8.2. Size:898K  globaltech semi
 gsm3015s.pdf pdf_icon

GSM3016S

GSM3015S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3015S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=5.1m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/30A,RDS(ON)=6.8m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) vo

 9.1. Size:770K  globaltech semi
 gsm3025s.pdf pdf_icon

GSM3016S

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3025S, N-Channel enhancement mode 30V/9.0A,RDS(ON)=32m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/7.0A,RDS(ON)=36m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.0A,RDS(ON)=42m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for e

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM2379, GSM2519, GSM2604, GSM2911, GSM2912, GSM2913W, GSM3009S, GSM3015S, IRFP260, GSM3019S, GSM3025S, GSM3030, GSM3050S, GSM3302W, GSM3306WS, GSM3309WS, GSM3310W