GSM3406S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM3406S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-3L

Аналог (замена) для GSM3406S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3406S даташит

 ..1. Size:885K  globaltech semi
 gsm3406s.pdf pdf_icon

GSM3406S

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3406S, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=40m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.5A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

 7.1. Size:884K  globaltech semi
 gsm3406.pdf pdf_icon

GSM3406S

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3406, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=42m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.5A,RDS(ON)=52m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

 7.2. Size:863K  globaltech semi
 gsm3406a.pdf pdf_icon

GSM3406S

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3406A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=48m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/1.8A,RDS(ON)=58m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

 7.3. Size:877K  globaltech semi
 gsm3406as.pdf pdf_icon

GSM3406S

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3406AS, N-Channel enhancement mode 30V/2.8A,RDS(ON)=45m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.4A,RDS(ON)=55m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These Super high density cell design for extremely devices are particularly suited for low voltage low RDS (ON) powe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM3402A, GSM3403, GSM3403A, GSM3404, GSM3405, GSM3406, GSM3406A, GSM3406AS, SI2302, GSM3407AS, GSM3407S, GSM3410, GSM3411, GSM3413, GSM3413A, GSM3414A, GSM3414S