GSM3411 - аналоги и даташиты транзистора

 

GSM3411 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GSM3411
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для GSM3411

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3411 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  globaltech semi
 gsm3411.pdf pdf_icon

GSM3411

GSM3411 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3411, P-Channel enhancement mode -30V/-6.0A,RDS(ON)=36m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.5A,RDS(ON)=46m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.1. Size:875K  globaltech semi
 gsm3413.pdf pdf_icon

GSM3411

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.6A,RDS(ON)=130m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=195m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

 8.2. Size:1106K  globaltech semi
 gsm3416.pdf pdf_icon

GSM3411

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 20V/4.0A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V GSM3416, N-Channel enhancement mode 20V/3.2A,RDS(ON)=30m@VGS=2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/2.8A,RDS(ON)=36m@VGS=1.8V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 8.3. Size:820K  globaltech semi
 gsm3413a.pdf pdf_icon

GSM3411

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3413A, P-Channel enhancement mode -20V/-2.6A,RDS(ON)=110m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.2A,RDS(ON)=150m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.2A,RDS(ON)=205m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices are par

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM3405 , GSM3406 , GSM3406A , GSM3406AS , GSM3406S , GSM3407AS , GSM3407S , GSM3410 , IRF520 , GSM3413 , GSM3413A , GSM3414A , GSM3414S , GSM3415 , GSM3416 , GSM3424 , GSM3424A .

History: SSC8P22CN2 | PJA45N02 | WST3407 | NCE3N150T | SWN7N65K | AP20N06D

 

 
Back to Top

 


 
.