Справочник MOSFET. GSM3413

 

GSM3413 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM3413
   Маркировка: 13*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3L
 

 Аналог (замена) для GSM3413

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3413 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:875K  globaltech semi
 gsm3413.pdf pdf_icon

GSM3413

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.6A,RDS(ON)=130m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=195m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

 0.1. Size:820K  globaltech semi
 gsm3413a.pdf pdf_icon

GSM3413

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3413A, P-Channel enhancement mode -20V/-2.6A,RDS(ON)=110m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.2A,RDS(ON)=150m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.2A,RDS(ON)=205m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices are par

 8.1. Size:1106K  globaltech semi
 gsm3416.pdf pdf_icon

GSM3413

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 20V/4.0A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V GSM3416, N-Channel enhancement mode 20V/3.2A,RDS(ON)=30m@VGS=2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/2.8A,RDS(ON)=36m@VGS=1.8V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 8.2. Size:889K  globaltech semi
 gsm3410.pdf pdf_icon

GSM3413

GSM3410 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3410, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=27m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.5A,RDS(ON)=30m@VGS=4.5V provide excellent RDS (ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TSOP-6 p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM3406 , GSM3406A , GSM3406AS , GSM3406S , GSM3407AS , GSM3407S , GSM3410 , GSM3411 , IRFB31N20D , GSM3413A , GSM3414A , GSM3414S , GSM3415 , GSM3416 , GSM3424 , GSM3424A , GSM3425 .

History: PNMT60V02 | 14N50L-TF3-T | 12P10L-TND-R | SMIRF16N65T1TL | AP2613GYT-HF | 19N10G-TA3-T | IXTP4N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.