Справочник MOSFET. GSM3413A

 

GSM3413A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM3413A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3413A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:820K  globaltech semi
 gsm3413a.pdf pdf_icon

GSM3413A

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3413A, P-Channel enhancement mode -20V/-2.6A,RDS(ON)=110m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.2A,RDS(ON)=150m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.2A,RDS(ON)=205m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices are par

 7.1. Size:875K  globaltech semi
 gsm3413.pdf pdf_icon

GSM3413A

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.6A,RDS(ON)=130m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=195m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

 8.1. Size:1106K  globaltech semi
 gsm3416.pdf pdf_icon

GSM3413A

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 20V/4.0A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V GSM3416, N-Channel enhancement mode 20V/3.2A,RDS(ON)=30m@VGS=2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/2.8A,RDS(ON)=36m@VGS=1.8V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 8.2. Size:889K  globaltech semi
 gsm3410.pdf pdf_icon

GSM3413A

GSM3410 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3410, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=27m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.5A,RDS(ON)=30m@VGS=4.5V provide excellent RDS (ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TSOP-6 p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP6901GH-HF | 2SK3430-ZJ | IXTH270N04T4 | R6535KNZ1 | 6N60A | MTN8N65EA | VSE002N03MS-G

 

 
Back to Top

 


 
.