Справочник MOSFET. GSM3426

 

GSM3426 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM3426
   Маркировка: 26*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для GSM3426

 

 

GSM3426 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  globaltech semi
 gsm3426.pdf

GSM3426 GSM3426

GSM3426 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3426, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=36m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A,RDS(ON)=40m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=52m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are partic

 8.1. Size:772K  globaltech semi
 gsm3424a.pdf

GSM3426 GSM3426

GSM3424A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3424A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=85m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.0A,RDS(ON)=95m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. 30V/1.5A,RDS(ON)=265m@VGS=4.5V Super high density cell design for extremely These devices are

 8.2. Size:912K  globaltech semi
 gsm3425.pdf

GSM3426 GSM3426

GSM3425 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3425, P-Channel enhancement mode -20V/-4.0A,RDS(ON)=56m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are

 8.3. Size:883K  globaltech semi
 gsm3424.pdf

GSM3426 GSM3426

GSM3424 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3424, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=85m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m@VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are pa

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: UML2502

 

 
Back to Top