Справочник MOSFET. GSM3446

 

GSM3446 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM3446
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для GSM3446

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3446 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:948K  globaltech semi
gsm3446.pdfpdf_icon

GSM3446

GSM3446 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3446, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.6A,RDS(ON)=68m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.0A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are partic

 9.1. Size:891K  globaltech semi
gsm3400.pdfpdf_icon

GSM3446

GSM3400 GSM3400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3400, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=48m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/3.5A,RDS(ON)=52m@VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/2.8A,RDS(ON)=58m@VGS=2.5V gate charge. These devices are particularly Super high density cell des

 9.2. Size:882K  globaltech semi
gsm3458.pdfpdf_icon

GSM3446

GSM3458 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3458, N-Channel enhancement mode 60V/5.6A,RDS(ON)=60m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/3.8A,RDS(ON)=66m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.3. Size:875K  globaltech semi
gsm3413.pdfpdf_icon

GSM3446

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.6A,RDS(ON)=130m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=195m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

Другие MOSFET... GSM3424 , GSM3424A , GSM3425 , GSM3426 , GSM3430W , GSM3432 , GSM3434W , GSM3436 , IRF1405 , GSM3452 , GSM3454 , GSM3456 , GSM3456S , GSM3458 , GSM3458BW , GSM3459 , GSM3460 .

 

 
Back to Top

 


 
.