Справочник MOSFET. GSM3458

 

GSM3458 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM3458
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для GSM3458

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3458 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:882K  globaltech semi
 gsm3458.pdf pdf_icon

GSM3458

GSM3458 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3458, N-Channel enhancement mode 60V/5.6A,RDS(ON)=60m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/3.8A,RDS(ON)=66m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 0.1. Size:805K  globaltech semi
 gsm3458bw.pdf pdf_icon

GSM3458

GSM3458BW 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3458BW, N-Channel enhancement mode 60V/5.6A,RDS(ON)=135m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/3.8A,RDS(ON)=145m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

 8.1. Size:841K  globaltech semi
 gsm3456.pdf pdf_icon

GSM3458

GSM3456 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3456, N-Channel enhancement mode 30V/5.6A,RDS(ON)=40m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.2A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.2. Size:966K  globaltech semi
 gsm3459.pdf pdf_icon

GSM3458

GSM3459 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3459, P-Channel enhancement mode -60V/-4.8A,RDS(ON)=128m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-3.6A,RDS(ON)=138m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM3432 , GSM3434W , GSM3436 , GSM3446 , GSM3452 , GSM3454 , GSM3456 , GSM3456S , IRF9640 , GSM3458BW , GSM3459 , GSM3460 , GSM3466 , GSM3481S , GSM3484 , GSM3484S , GSM3485 .

History: IXFB62N80Q3 | TPC8075 | IRFH7936 | IRFS254A | HCI60R150 | NTMFS4934N | UPA2724T1A

 

 
Back to Top

 


 
.