Справочник MOSFET. GSM3484

 

GSM3484 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM3484
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-2L
 

 Аналог (замена) для GSM3484

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3484 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:872K  globaltech semi
 gsm3484.pdf pdf_icon

GSM3484

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3484, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power ma

 0.1. Size:939K  globaltech semi
 gsm3484s.pdf pdf_icon

GSM3484

GSM3484S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3484S, N-Channel enhancement mode 30V/30A,RDS(ON)=13m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/18A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.1. Size:907K  globaltech semi
 gsm3485.pdf pdf_icon

GSM3484

GSM3485 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3485, P-Channel enhancement mode -30V/-12A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-10A,RDS(ON)=37m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.2. Size:880K  globaltech semi
 gsm3481s.pdf pdf_icon

GSM3484

GSM3481S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3481S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.4A,RDS(ON)=62m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.2A,RDS(ON)=90m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM3456 , GSM3456S , GSM3458 , GSM3458BW , GSM3459 , GSM3460 , GSM3466 , GSM3481S , AO4468 , GSM3484S , GSM3485 , GSM3497 , GSM3679S , GSM3804 , GSM3806W , GSM3814W , GSM3911W .

 

 
Back to Top

 


 
.