Справочник MOSFET. GSM4510S

 

GSM4510S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM4510S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для GSM4510S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4510S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1077K  globaltech semi
gsm4510s.pdfpdf_icon

GSM4510S

GSM4510S 100V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4510S, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/6.8A,RDS(ON)=150m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 100V/5.6A,RDS(ON)=165m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -100V/-6.2A,RDS(ON)=198m@VGS=

 8.1. Size:1190K  globaltech semi
gsm4516w.pdfpdf_icon

GSM4510S

GSM4516W 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4516W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=15m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/6A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V voltag

 8.2. Size:1304K  globaltech semi
gsm4516.pdfpdf_icon

GSM4510S

GSM4516 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4516, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=15m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/6A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V voltage power man

 9.1. Size:1207K  globaltech semi
gsm4559.pdfpdf_icon

GSM4510S

GSM4559 60V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4559, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/6.8A,RDS(ON)=42m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/5.6A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -60V/-4.0A,RDS(ON)=100m@VGS=-10V v

Другие MOSFET... GSM4435 , GSM4435S , GSM4435W , GSM4435WS , GSM4440 , GSM4440W , GSM4447 , GSM4486 , IRF9540N , GSM4516 , GSM4516W , GSM4535 , GSM4535W , GSM4539S , GSM4539WS , GSM4546 , GSM4559 .

History: MTP2N85 | VS3645DE-G

 

 
Back to Top

 


 
.