Справочник MOSFET. GSM4546

 

GSM4546 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM4546
   Маркировка: 4546
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4546 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  globaltech semi
 gsm4546.pdf pdf_icon

GSM4546

GSM4546 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4546, N-Channel enhancement mode 40V/6.8A,RDS(ON)=52m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/5.6A,RDS(ON)=70m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.1. Size:1190K  globaltech semi
 gsm4516w.pdf pdf_icon

GSM4546

GSM4516W 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4516W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=15m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/6A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V voltag

 9.2. Size:1207K  globaltech semi
 gsm4559.pdf pdf_icon

GSM4546

GSM4559 60V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4559, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/6.8A,RDS(ON)=42m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/5.6A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -60V/-4.0A,RDS(ON)=100m@VGS=-10V v

 9.3. Size:1304K  globaltech semi
 gsm4516.pdf pdf_icon

GSM4546

GSM4516 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4516, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=15m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/6A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V voltage power man

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SSG9435P

 

 
Back to Top

 


 
.