Справочник MOSFET. GSM4599W

 

GSM4599W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM4599W
   Маркировка: 4599W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для GSM4599W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4599W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1497K  globaltech semi
 gsm4599w.pdf pdf_icon

GSM4599W

GSM4599W 40V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4599W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/8A,RDS(ON)=22m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/6A,RDS(ON)=28m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -40V/-7.2A,RDS(ON)=42m@VGS=-10V volt

 7.1. Size:1577K  globaltech semi
 gsm4599.pdf pdf_icon

GSM4599W

GSM4599 40V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4599, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/8A,RDS(ON)=22m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/6A,RDS(ON)=36m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -40V/-7.2A,RDS(ON)=37m@VGS=-10V voltage power m

 9.1. Size:1190K  globaltech semi
 gsm4516w.pdf pdf_icon

GSM4599W

GSM4516W 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4516W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=15m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/6A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V voltag

 9.2. Size:1207K  globaltech semi
 gsm4559.pdf pdf_icon

GSM4599W

GSM4559 60V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4559, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/6.8A,RDS(ON)=42m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/5.6A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -60V/-4.0A,RDS(ON)=100m@VGS=-10V v

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM4516W , GSM4535 , GSM4535W , GSM4539S , GSM4539WS , GSM4546 , GSM4559 , GSM4599 , IRLB4132 , GSM4634WS , GSM4637 , GSM4637W , GSM4804 , GSM4822S , GSM4822WS , GSM4850WS , GSM4874WS .

History: R6004KNJ | 2SK1295 | AJCS160N08I | STU12N60M2 | SSF11NS60UF

 

 
Back to Top

 


 
.