GSM4946W datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: GSM4946W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для GSM4946W
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
GSM4946W даташит
gsm4946.pdf
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4946, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=42m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/5.6A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power
gsm4946bw.pdf
GSM4946BW 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4946BW, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=60m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/5.6A,RDS(ON)=65m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low
gsm4948.pdf
GSM4948 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4948, P-Channel enhancement mode -60V/-4.0A,RDS(ON)= 100m @VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-3.0A,RDS(ON)= 120m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited
Другие IGBT... GSM4925, GSM4925S, GSM4925W, GSM4925WS, GSM4936S, GSM4936WS, GSM4946, GSM4946BW, 2N60, GSM4948, GSM4953S, GSM4953WS, GSM4996, GSM4997, GSM4998, GSM4998W, GSM5004S
History: NCEP035N60K
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor




