Справочник MOSFET. GSM4948

 

GSM4948 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM4948
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для GSM4948

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4948 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:830K  globaltech semi
 gsm4948.pdf pdf_icon

GSM4948

GSM4948 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4948, P-Channel enhancement mode -60V/-4.0A,RDS(ON)= 100m@VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-3.0A,RDS(ON)= 120m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

 8.1. Size:438K  globaltech semi
 gsm4946.pdf pdf_icon

GSM4948

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4946, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=42m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/5.6A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

 8.2. Size:432K  globaltech semi
 gsm4946w.pdf pdf_icon

GSM4948

GSM4946W 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4946W, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=42m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/5.6A,RDS(ON)=48m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.3. Size:408K  globaltech semi
 gsm4946bw.pdf pdf_icon

GSM4948

GSM4946BW 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4946BW, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=60m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/5.6A,RDS(ON)=65m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM4925S , GSM4925W , GSM4925WS , GSM4936S , GSM4936WS , GSM4946 , GSM4946BW , GSM4946W , K2611 , GSM4953S , GSM4953WS , GSM4996 , GSM4997 , GSM4998 , GSM4998W , GSM5004S , GSM5008S .

History: MTM13127 | PZD502CYB

 

 
Back to Top

 


 
.