GSM4998 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM4998

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

Аналог (замена) для GSM4998

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4998 даташит

 ..1. Size:939K  globaltech semi
 gsm4998.pdf pdf_icon

GSM4998

GSM4998 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4998, N-Channel enhancement mode 100V/5.6A,RDS(ON)=130m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/4.2A,RDS(ON)=145m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for lo

 0.1. Size:916K  globaltech semi
 gsm4998w.pdf pdf_icon

GSM4998

GSM4998W 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4998W, N-Channel enhancement mode 100V/5.6A,RDS(ON)=120m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/4.2A,RDS(ON)=130m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

 8.1. Size:801K  globaltech semi
 gsm4997.pdf pdf_icon

GSM4998

GSM4997 90V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4997, N-Channel enhancement mode 90V/6.8A,RDS(ON)=68m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 90V/5.6A,RDS(ON)=75m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.2. Size:831K  globaltech semi
 gsm4996.pdf pdf_icon

GSM4998

GSM4996 90V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4996, N-Channel enhancement mode 90V/7.6A,RDS(ON)=68m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 90V/6.8A,RDS(ON)=75m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM4946, GSM4946BW, GSM4946W, GSM4948, GSM4953S, GSM4953WS, GSM4996, GSM4997, STP65NF06, GSM4998W, GSM5004S, GSM5008S, GSM501DEA, GSM5604, GSM5606, GSM6202S, GSM6236S