GSM7402 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM7402

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для GSM7402

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM7402 даташит

 ..1. Size:923K  globaltech semi
 gsm7402.pdf pdf_icon

GSM7402

GSM7402 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7402, N-Channel enhancement mode 20V/3.6A , RDS(ON)= 60m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A , RDS(ON)= 70m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A , RDS(ON)= 90m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

 8.1. Size:873K  globaltech semi
 gsm7400.pdf pdf_icon

GSM7402

GSM7400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7400, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A , RDS(ON)= 82m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A , RDS(ON)= 90m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A , RDS(ON)= 102m @VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices a

 9.1. Size:862K  globaltech semi
 gsm7412.pdf pdf_icon

GSM7402

GSM7412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7412, N-Channel enhancement mode 20V/3.8A , RDS(ON)= 52m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A , RDS(ON)= 56m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A , RDS(ON)= 68m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

 9.2. Size:885K  globaltech semi
 gsm7472s.pdf pdf_icon

GSM7402

GSM7472S GSM7472S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7472S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=8.6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/13A,RDS(ON)=14m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM6993, GSM7002, GSM7002J, GSM7002K, GSM7002T, GSM7002W, GSM7106S, GSM7400, IRLZ44N, GSM7412, GSM7420, GSM7424S, GSM7472S, GSM7617WS, GSM7619WS, GSM7923WS, GSM8205