Справочник MOSFET. GSM8936

 

GSM8936 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM8936
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8936 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:830K  globaltech semi
 gsm8936.pdf pdf_icon

GSM8936

GSM8936 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8936, N-Channel enhancement mode 60V/4.6A,RDS(ON)=48m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/3.6A,RDS(ON)=54m@ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/2.0A,RDS(ON)=95m@ VGS=3.3V Super high density cell design for extremely low These devices are p

 8.1. Size:717K  globaltech semi
 gsm8931.pdf pdf_icon

GSM8936

GSM8931 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8931, P-Channel enhancement mode -30V/-4.6A,RDS(ON)=36m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.6A,RDS(ON)=46m@ VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for l

 9.1. Size:887K  globaltech semi
 gsm8988.pdf pdf_icon

GSM8936

GSM8988 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8988, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=120m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.6A,RDS(ON)=130m@ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for lo

 9.2. Size:848K  globaltech semi
 gsm8904.pdf pdf_icon

GSM8936

GSM8904 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8904, N-Channel enhancement mode 30V/5.6A,RDS(ON)=72m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.6A,RDS(ON)=95m@ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.