Справочник MOSFET. GSM8987W

 

GSM8987W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM8987W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для GSM8987W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8987W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:777K  globaltech semi
 gsm8987w.pdf pdf_icon

GSM8987W

GSM8987W 80V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8987W, N-Channel enhancement mode 80V/4.6A,RDS(ON)=75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 80V/3.6A,RDS(ON)=85m@ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for low

 7.1. Size:449K  globaltech semi
 gsm8987.pdf pdf_icon

GSM8987W

GSM8987 90V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8987, N-Channel enhancement mode 90V/2.3A,RDS(ON)=310m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 90V/1.8A,RDS(ON)=320m@ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for low

 8.1. Size:887K  globaltech semi
 gsm8988.pdf pdf_icon

GSM8987W

GSM8988 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8988, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=120m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.6A,RDS(ON)=130m@ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for lo

 8.2. Size:886K  globaltech semi
 gsm8988w.pdf pdf_icon

GSM8987W

GSM8988W 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8988W, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=130m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.6A,RDS(ON)=138m@ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM8823 , GSM8904 , GSM8918 , GSM8931 , GSM8936 , GSM8943 , GSM8968 , GSM8987 , TK10A60D , GSM8988 , GSM8988W , GSM8989 , GSM8995 , GSM9407 , GSM9434WS , GSM9435S , GSM9435WS .

History: SPB11N60S5 | CS120NF10 | VBMB2102M | NTLUS4930N | APQ5ESN40AF | ME1303AT3 | AP65SL600AJ

 

 
Back to Top

 


 
.