GSM8987W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM8987W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 90 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для GSM8987W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8987W даташит

 ..1. Size:777K  globaltech semi
 gsm8987w.pdf pdf_icon

GSM8987W

 7.1. Size:449K  globaltech semi
 gsm8987.pdf pdf_icon

GSM8987W

 8.1. Size:887K  globaltech semi
 gsm8988.pdf pdf_icon

GSM8987W

GSM8988 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8988, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=120m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.6A,RDS(ON)=130m @ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for lo

 8.2. Size:886K  globaltech semi
 gsm8988w.pdf pdf_icon

GSM8987W

GSM8988W 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8988W, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=130m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.6A,RDS(ON)=138m @ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM8823, GSM8904, GSM8918, GSM8931, GSM8936, GSM8943, GSM8968, GSM8987, 13N50, GSM8988, GSM8988W, GSM8989, GSM8995, GSM9407, GSM9434WS, GSM9435S, GSM9435WS