GSM9435S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: GSM9435S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
Тип корпуса: SOP-8P
Аналог (замена) для GSM9435S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
GSM9435S даташит
gsm9435s.pdf
GSM9435S P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9435S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=52m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.2A,RDS(ON)=76m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low
gsm9435ws.pdf
GSM9435WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9435WS, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=58m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.2A,RDS(ON)=78m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f
gsm9434ws.pdf
GSM9434WS 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9434WS, P-Channel enhancement mode -20V/-6.5A,RDS(ON)= 42m @VGS= -4.5V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-4.5A,RDS(ON)= 58m @VGS= -2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.5A,RDS(ON)= 72m @VGS= -1.8V Super high density cell design for extremely These
Другие IGBT... GSM8987, GSM8987W, GSM8988, GSM8988W, GSM8989, GSM8995, GSM9407, GSM9434WS, IRF530, GSM9435WS, GSM9498, GSM9510S, GSM9565S, GSM9566W, GSM9575S, GSM9576, GSM9910
History: GSM9576
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent





