Справочник MOSFET. GSM9575S

 

GSM9575S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM9575S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для GSM9575S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM9575S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:998K  globaltech semi
 gsm9575s.pdf pdf_icon

GSM9575S

GSM9575S 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9575S, P-Channel enhancement mode -60V/-18A,RDS(ON)=68m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-12A,RDS(ON)=78m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

 8.1. Size:891K  globaltech semi
 gsm9576.pdf pdf_icon

GSM9575S

GSM9576 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9576, P-Channel enhancement mode -60V/-14A,RDS(ON)=115m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-10A,RDS(ON)=125m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

 9.1. Size:985K  globaltech semi
 gsm9510s.pdf pdf_icon

GSM9575S

GSM9510S 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9510S, P-Channel enhancement mode -100V/-8.0A,RDS(ON)=200m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -100V/-7.0A,RDS(ON)=220m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suite

 9.2. Size:1264K  globaltech semi
 gsm9566w.pdf pdf_icon

GSM9575S

GSM9566W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9566W, P-Channel enhancement mode -40V/-5.0A,RDS(ON)=80m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-3.5A,RDS(ON)=105m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM9407 , GSM9434WS , GSM9435S , GSM9435WS , GSM9498 , GSM9510S , GSM9565S , GSM9566W , IRFZ24N , GSM9576 , GSM9910 , GSM9971 , GSM9971B , GSM9972S , GSM9977 , GSM9987 , GSM9990S .

History: NVMFS5C646NL | CTD06N017 | AO6801E | P3606HK | TPCA8009-H | HM18N40F

 

 
Back to Top

 


 
.