GSM9575S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM9575S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для GSM9575S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM9575S даташит

 ..1. Size:998K  globaltech semi
 gsm9575s.pdf pdf_icon

GSM9575S

GSM9575S 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9575S, P-Channel enhancement mode -60V/-18A,RDS(ON)=68m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-12A,RDS(ON)=78m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

 8.1. Size:891K  globaltech semi
 gsm9576.pdf pdf_icon

GSM9575S

GSM9576 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9576, P-Channel enhancement mode -60V/-14A,RDS(ON)=115m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-10A,RDS(ON)=125m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

 9.1. Size:985K  globaltech semi
 gsm9510s.pdf pdf_icon

GSM9575S

GSM9510S 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9510S, P-Channel enhancement mode -100V/-8.0A,RDS(ON)=200m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -100V/-7.0A,RDS(ON)=220m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suite

 9.2. Size:1264K  globaltech semi
 gsm9566w.pdf pdf_icon

GSM9575S

GSM9566W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9566W, P-Channel enhancement mode -40V/-5.0A,RDS(ON)=80m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-3.5A,RDS(ON)=105m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM9407, GSM9434WS, GSM9435S, GSM9435WS, GSM9498, GSM9510S, GSM9565S, GSM9566W, TK10A60D, GSM9576, GSM9910, GSM9971, GSM9971B, GSM9972S, GSM9977, GSM9987, GSM9990S