Справочник MOSFET. GSM9971B

 

GSM9971B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM9971B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для GSM9971B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM9971B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:922K  globaltech semi
gsm9971b.pdfpdf_icon

GSM9971B

GSM9971B 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9971B, N-Channel enhancement mode 60V/18A,RDS(ON)=56m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)=62m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 7.1. Size:433K  globaltech semi
gsm9971.pdfpdf_icon

GSM9971B

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9971, N-Channel enhancement mode 60V/18A,RDS(ON)= 42m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/12A,RDS(ON)= 50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

 8.1. Size:931K  globaltech semi
gsm9972s.pdfpdf_icon

GSM9971B

GSM9972S 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9972S, N-Channel enhancement mode 60V/35A,RDS(ON)=15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/25A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.2. Size:803K  globaltech semi
gsm9977.pdfpdf_icon

GSM9971B

GSM9977 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9977, N-Channel enhancement mode 60V/8A,RDS(ON)=118m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/6A,RDS(ON)=130m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low T

Другие MOSFET... GSM9498 , GSM9510S , GSM9565S , GSM9566W , GSM9575S , GSM9576 , GSM9910 , GSM9971 , STF13NM60N , GSM9972S , GSM9977 , GSM9987 , GSM9990S , GSM9995S , GSM9997 , GSMBSS123 , GSMBSS138 .

History: IXTH22N50P | AM4922N

 

 
Back to Top

 


 
.