SML501R1AN - описание и поиск аналогов

 

SML501R1AN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SML501R1AN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для SML501R1AN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML501R1AN даташит

 9.1. Size:20K  semelab
sml50a19.pdfpdf_icon

SML501R1AN

SML50A19 TO 3 Package Outline. Dimensions in mm (inches) N CHANNEL 25.15 (0.99) ENHANCEMENT MODE 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) HIGH VOLTAGE 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) POWER MOSFETS VDSS 500V 1 2 ID(cont) 18.5A 3 (case) RDS(on) 0.240 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) Faster Switching Lower Leakage Pin 1

 9.2. Size:21K  semelab
sml50b26.pdfpdf_icon

SML501R1AN

SML50B26 TO 247AD Package Outline. Dimensions in mm (inches) 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) N CHANNEL 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) 1 2 3 VDSS 500V 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) ID(cont) 26A 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) 1.01 (0.040) 1.40 (0.055) RDS(on) 0.200 2.21

 9.3. Size:601K  semelab
sml50hb06.pdfpdf_icon

SML501R1AN

SML50HB06 Attributes -aerospace build standard -high reliability -lightweight -metal matrix base plate -AlN isolation Maximum rated values/ Electrical Properties Collector-emitter Voltage 600 V Vce DC Collector Current Tc=80C Ic, nom 50 A Tc=25C Ic 75 Repetitive peak Collector Cur- tp=1msec,Tc=80C Icrm 100 A rent Total PowerDissipation Tc=25C Ptot 280 W Gate-emitte

 9.4. Size:26K  semelab
sml50h19.pdfpdf_icon

SML501R1AN

SML50H19 TO 258 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 6.86 (0.270) N CHANNEL 6.09 (0.240) 17.65 (0.695) 17.39 (0.685) 1.14 (0.707) ENHANCEMENT MODE 0.88 (0.035) HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 4.19 (0.165) 3.94 (0.155) Dia. 1 2 3 VDSS 500V ID(cont) 18.5A RDS(on) 0.260 5.08 (0.200) 3.56 (0.140) BSC BSC Faster Switching 1.65 (0.065) 1.39 (0.055) Lower

Другие MOSFET... SML40H28 , SML40J53 , SML40J93 , SML40L57 , SML40M42BFN , SML40M80AFN , SML40W44 , SML5011AFN , BS170 , SML501R1BN , SML501R1CN , SML501R1GN , SML5020BN , SML5022BN , SML5025AN , SML5025BN , SML5025HN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.