IRC630PBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRC630PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO-220-5
Аналог (замена) для IRC630PBF
IRC630PBF Datasheet (PDF)
irc630pbf.pdf

PD- 96003BIRC630PbF Lead-Freewww.irf.com 12/10/05IRC630PbF2 www.irf.comIRC630PbFwww.irf.com 3IRC630PbF4 www.irf.comIRC630PbFwww.irf.com 5IRC630PbF6 www.irf.comIRC630PbFwww.irf.com 7IRC630PbF8 www.irf.comIRC630PbFHexsenseTO-220 5L Package Outline ( Dimensions are shown in millimeters (inches)Hexsense TO-220 5L Part Marking InformationEXAMP
Другие MOSFET... INK0210AC1 , INK0210AP1 , INK021AAP1 , INK0302AC1 , INK0310AP1 , IVN5001ANE , IRC530PBF , IRC540PBF , IRF9540N , IRC634PBF , IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , IRC830PBF , IRC840PBF , IRCZ24 .
History: STI30N65M5 | FCU600N65S3R0 | H5N2515P
History: STI30N65M5 | FCU600N65S3R0 | H5N2515P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438