CPC3703C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CPC3703C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.36 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: SOT-89
CPC3703C Datasheet (PDF)
cpc3703c.pdf
CPC3703CN-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsDescriptionBVDSX/ RDS(ON) IDSS PackageBVDGX (max) (min)The CPC3703C is an N-channel depletion mode field250V 4.0 300mA SOT-89 effect transistor (FET) that utilizes Clares proprietarythird generation vertical DMOS process. Thirdgeneration process realizes world class, high voltageMOSFET performance in an economical silic
cpc3703.pdf
CPC3703N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsBVDSX/ RDS(ON) IDSS (min) Package DescriptionBVDGX (max)The CPC3703 is an N-channel, depletion mode, field 250V 4 360mA SOT-89effect transistor (FET) that utilizes Clares proprietary third-generation vertical DMOS process. The third-generation process realizes world class, high Featuresvoltage MOSFET performance in an e
cpc3701.pdf
CPC370160V, Depletion-Mode, N-ChannelVertical DMOS FETV(BR)DSX / RDS(ON) IDSS (min) Package DescriptionV(BR)DGX (max)The CPC3701 is an N-channel, depletion mode, field 60V 1 600mA SOT-89 effect transistor (FET) that utilizes Clares proprietary third-generation vertical DMOS process. The third-generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an
cpc3701c.pdf
CPC370160V, Depletion-Mode, N-ChannelVertical DMOS FETV(BR)DSX / RDS(on) IDSS (min) Package DescriptionV(BR)DGX (max)The CPC3701 is an N-channel, depletion mode, field 60V 1 600mA SOT-89 effect transistor (FET) that utilizes Clares proprietary third-generation vertical DMOS process. The third-generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918