N0434N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: N0434N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для N0434N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N0434N даташит

 ..1. Size:209K  renesas
 n0434n.pdf pdf_icon

N0434N

Preliminary Data Sheet R07DS0556EJ0100 N0434N Rev.1.00 Nov 07, 2011 N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The N0434N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 3.7 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) Low input capacitance Ciss = 5550 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) H

Другие IGBT... CPH6411, CPH6429, CPH6434, CPH6635, CPH6636R, CPMF-1200-S080B, CPMF-1200-S160B, CPT2301, IRF1404, N0439N, N0601N, N0602N, N0603N, N0604N, N2500N, NCE15H15T, NCV8401A