NDFP03N150CG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDFP03N150CG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для NDFP03N150CG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDFP03N150CG даташит

 ..1. Size:371K  onsemi
 ndfp03n150c ndfp03n150cg.pdf pdf_icon

NDFP03N150CG

Ordering number ENA2232 NDFP03N150C N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 1500V, 2.5A, 10.5 , TO-220F-3FS Features On-resistance RDS(on)=8 (typ.) Input Capacitance Ciss=650pF(typ.) 10V drive Specifications TO-220F-3FS Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS 1500 V Gate to Source Vo

Другие IGBT... NDD03N80Z, NDD60N360U1, NDD60N550U1, NDD60N745U1, NDD60N900U1, NDDL01N60Z, NDDP010N25AZ, NDFP03N150C, IRFP250, NDFPD1N150C, NDFPD1N150CG, NDP410AE, NDP410B, NDP410BE, NDP605A, NDP605B, NDP606A