Справочник MOSFET. NDFPD1N150C

 

NDFPD1N150C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDFPD1N150C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 150 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для NDFPD1N150C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDFPD1N150C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  onsemi
 ndfpd1n150c ndfpd1n150cg.pdf pdf_icon

NDFPD1N150C

Ordering number : ENA2236 NDFPD1N150C N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 1500V, 0.1A, 150, TO-220F-3FS Features On-resistance RDS(on)=100(typ.) Input Capacitance Ciss=80pF(typ.) 10V drive Specifications TO-220F-3FSAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 V Gate to Source Vo

Другие MOSFET... NDD60N360U1 , NDD60N550U1 , NDD60N745U1 , NDD60N900U1 , NDDL01N60Z , NDDP010N25AZ , NDFP03N150C , NDFP03N150CG , P0903BDG , NDFPD1N150CG , NDP410AE , NDP410B , NDP410BE , NDP605A , NDP605B , NDP606A , NDP606B .

History: STU13NM60N | SSF4031C1 | MTP2N50E | HSBA0139 | IXFC110N10P | APTC80AM75SCG | IRF3711L

 

 
Back to Top

 


 
.