Справочник MOSFET. NDFPD1N150C

 

NDFPD1N150C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NDFPD1N150C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 150 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для NDFPD1N150C

 

 

NDFPD1N150C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  onsemi
 ndfpd1n150c ndfpd1n150cg.pdf

NDFPD1N150C NDFPD1N150C

Ordering number : ENA2236 NDFPD1N150C N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 1500V, 0.1A, 150, TO-220F-3FS Features On-resistance RDS(on)=100(typ.) Input Capacitance Ciss=80pF(typ.) 10V drive Specifications TO-220F-3FSAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 V Gate to Source Vo

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top