NDFPD1N150C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDFPD1N150C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 150 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для NDFPD1N150C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDFPD1N150C даташит

 ..1. Size:345K  onsemi
 ndfpd1n150c ndfpd1n150cg.pdf pdf_icon

NDFPD1N150C

Ordering number ENA2236 NDFPD1N150C N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 1500V, 0.1A, 150 , TO-220F-3FS Features On-resistance RDS(on)=100 (typ.) Input Capacitance Ciss=80pF(typ.) 10V drive Specifications TO-220F-3FS Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS 1500 V Gate to Source Vo

Другие IGBT... NDD60N360U1, NDD60N550U1, NDD60N745U1, NDD60N900U1, NDDL01N60Z, NDDP010N25AZ, NDFP03N150C, NDFP03N150CG, IRF1407, NDFPD1N150CG, NDP410AE, NDP410B, NDP410BE, NDP605A, NDP605B, NDP606A, NDP606B