Справочник MOSFET. NDP605A

 

NDP605A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDP605A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NDP605A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  njs
ndp605a ndp605b ndp606a ndp606b.pdfpdf_icon

NDP605A

 8.1. Size:261K  inchange semiconductor
ndp6051.pdfpdf_icon

NDP605A

isc N-Channel MOSFET Transistor NDP6051FEATURESDrain Current I =48A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =50V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.022(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS

 9.1. Size:56K  fairchild semi
ndp6030pl ndb6030pl.pdfpdf_icon

NDP605A

June 1997 NDP6030PL / NDB6030PL P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese P-Channel logic level enhancement mode power field -30 A, -30 V. RDS(ON) = 0.042 @ VGS= -4.5 VRDS(ON) = 0.025 @ VGS= -10 V.effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,high cell density, DMOS technology. This very high density

 9.2. Size:360K  fairchild semi
ndp6060l ndb6060l.pdfpdf_icon

NDP605A

April 1996 NDP6060L / NDB6060LN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features48A, 60V. RDS(ON) = 0.025 @ VGS = 5V. These logic level N-Channel enhancement mode powerfield effect transistors are produced using Fairchild'sLow drive requirements allowing operation directly from logicproprietary, high cell density, DMOS technology. This

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRFH7545PBF | SD215DE | HSS3402A | 2SK3573-ZK | 75N08 | STP8NK85Z

 

 
Back to Top

 


 
.