Справочник MOSFET. NDP610BE

 

NDP610BE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDP610BE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для NDP610BE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDP610BE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  fairchild semi
 ndb610ae ndb610b ndb610be ndp610ae ndp610b ndp610be.pdf pdf_icon

NDP610BE

May 1994 NDP610A / NDP610AE / NDP610B / NDP610BENDB610A / NDB610AE / NDB610B / NDB610BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field26 and 24A, 100V. RDS(ON) = 0.065 and 0.080. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den

Другие MOSFET... NDP605B , NDP606A , NDP606B , NDP608AE , NDP608B , NDP608BE , NDP610AE , NDP610B , K2611 , NDP708AE , NDP708B , NDP708BE , NDP710AE , NDP710B , NDP710BE , NDPL070N10B , NDPL070N10BG .

History: IPI50R250CP | VN67AD | STD12NF06L-1 | BL10N40-P | STP3481 | J202

 

 
Back to Top

 


 
.