NDTL03N150C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NDTL03N150C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NDTL03N150C Datasheet (PDF)
ndtl03n150c ndtl03n150cg.pdf

Ordering number : ENA2235 NDTL03N150C N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 1500V, 2.5A, 10.5, TO-3P-3L Features On-resistance RDS(on)=8(typ.) Input Capacitance Ciss=650pF(typ.) 10V drive Specifications TO-3P-3LAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 V Gate to Source Voltage
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IRHM9260 | MC11N005 | FDB20AN06A0 | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN
History: IRHM9260 | MC11N005 | FDB20AN06A0 | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor