NDTL03N150C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDTL03N150C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для NDTL03N150C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDTL03N150C даташит

 ..1. Size:399K  onsemi
 ndtl03n150c ndtl03n150cg.pdf pdf_icon

NDTL03N150C

Ordering number ENA2235 NDTL03N150C N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 1500V, 2.5A, 10.5 , TO-3P-3L Features On-resistance RDS(on)=8 (typ.) Input Capacitance Ciss=650pF(typ.) 10V drive Specifications TO-3P-3L Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS 1500 V Gate to Source Voltage

Другие IGBT... NDS352P, NDS355N, NDS8410, NDS9405, NDS9430, NDS9430A, NDT01N60, NDT02N40, AO4468, NDTL03N150CG, NDUL03N150C, NDUL03N150CG, NDUL09N150C, NDUL09N150CG, NID9N05ACLT4G, NID9N05CLT4G, NILMS4501NR2