NID9N05CLT4G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NID9N05CLT4G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 52 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.181 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NID9N05CLT4G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NID9N05CLT4G даташит

 ..1. Size:113K  onsemi
 nid9n05clt4g.pdf pdf_icon

NID9N05CLT4G

NID9N05CL, NID9N05ACL Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package http //onsemi.com Benefits VDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads (Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation 52 V 90 mW 9.0 A Features Drain Diode Clamp Between Gate and Source (Pins 2, 4) ESD Protection -

 5.1. Size:150K  onsemi
 nid9n05cl.pdf pdf_icon

NID9N05CLT4G

NID9N05CL Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package http //onsemi.com Benefits VDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads (Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation 52 V 90 mW 9.0 A Features Drain Diode Clamp Between Gate and Source (Pins 2, 4) ESD Protection - HBM 5000 V

 7.1. Size:113K  onsemi
 nid9n05acl nid9n05aclt4g.pdf pdf_icon

NID9N05CLT4G

NID9N05CL, NID9N05ACL Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package http //onsemi.com Benefits VDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads (Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation 52 V 90 mW 9.0 A Features Drain Diode Clamp Between Gate and Source (Pins 2, 4) ESD Protection -

 7.2. Size:82K  onsemi
 nid9n05acl nid9n05bcl.pdf pdf_icon

NID9N05CLT4G

NID9N05ACL, NID9N05BCL Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package www.onsemi.com Benefits VDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads (Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation 52 V 90 mW 9.0 A Features Drain Diode Clamp Between Gate and Source (Pins 2, 4) ESD Protection - HB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NDT02N40, NDTL03N150C, NDTL03N150CG, NDUL03N150C, NDUL03N150CG, NDUL09N150C, NDUL09N150CG, NID9N05ACLT4G, IRF540N, NILMS4501NR2, NILMS4501NR2G, NMSD200B01-7, NP100N04MDH, NP100N04MUH, NP100N04NDH, NP100N04NUH, NP100N04NUJ