Справочник MOSFET. NP15P06SLG

 

NP15P06SLG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP15P06SLG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для NP15P06SLG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP15P06SLG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  renesas
 np15p06slg.pdf pdf_icon

NP15P06SLG

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.1. Size:298K  renesas
 np15p04slg.pdf pdf_icon

NP15P06SLG

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... NP110N04PDG , NP110N04PUG , NP110N04PUJ , NP110N04PUK , NP110N055PUG , NP110N055PUJ , NP110N055PUK , NP15P04SLG , IRFB3607 , NP160N04TDG , NP160N04TUG , NP160N04TUJ , NP160N04TUK , NP160N055TUJ , NP160N055TUK , NP161N04TUG , NP16N04YUG .

History: RU6888 | WNM2077 | FDB2552F085

 

 
Back to Top

 


 
.