NP15P06SLG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NP15P06SLG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для NP15P06SLG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP15P06SLG даташит

 ..1. Size:299K  renesas
 np15p06slg.pdf pdf_icon

NP15P06SLG

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.1. Size:298K  renesas
 np15p04slg.pdf pdf_icon

NP15P06SLG

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... NP110N04PDG, NP110N04PUG, NP110N04PUJ, NP110N04PUK, NP110N055PUG, NP110N055PUJ, NP110N055PUK, NP15P04SLG, K4145, NP160N04TDG, NP160N04TUG, NP160N04TUJ, NP160N04TUK, NP160N055TUJ, NP160N055TUK, NP161N04TUG, NP16N04YUG