SML50B26 - описание и поиск аналогов

 

SML50B26. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SML50B26

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 3700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SML50B26

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML50B26 даташит

 ..1. Size:21K  semelab
 sml50b26.pdf pdf_icon

SML50B26

SML50B26 TO 247AD Package Outline. Dimensions in mm (inches) 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) N CHANNEL 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) 1 2 3 VDSS 500V 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) ID(cont) 26A 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) 1.01 (0.040) 1.40 (0.055) RDS(on) 0.200 2.21

 0.1. Size:167K  semelab
 sml50b26f.pdf pdf_icon

SML50B26

SML50B26F TO 247AD Package Outline. Dimensions in mm (inches) N CHANNEL 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) ENHANCEMENT MODE 2.49 (0.098) HIGH VOLTAGE POWER FREDFET 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) VDSS 500V 1 2 3 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) ID(cont) 26A 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) 1.01 (0.040) RDS(on) 0.200 1.40 (0.

 7.1. Size:21K  semelab
 sml50b20.pdf pdf_icon

SML50B26

SML50B20 TO 247AD Package Outline. Dimensions in mm (inches) 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) N CHANNEL 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) 1 2 3 VDSS 500V 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) ID(cont) 20A 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) 1.01 (0.040) 1.40 (0.055) RDS(on) 0.280 2.21

 7.2. Size:21K  semelab
 sml50b22.pdf pdf_icon

SML50B26

SML50B22 TO 247AD Package Outline. Dimensions in mm (inches) 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) N CHANNEL 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) 1 2 3 VDSS 500V 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) ID(cont) 22A 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) 1.01 (0.040) 1.40 (0.055) RDS(on) 0.240 2.21

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SML5085BN , SML5085CN , SML5085GN , SML50A15 , SML50A19 , SML50A21 , SML50B20 , SML50B22 , IRF830 , SML50B30 , SML50C13N , SML50C14 , SML50H19 , SML50H24 , SML50J44 , SML50J50 , SML50J77 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.