Справочник MOSFET. NP20P06SLG

 

NP20P06SLG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NP20P06SLG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для NP20P06SLG

 

 

NP20P06SLG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  renesas
 np20p06slg.pdf

NP20P06SLG NP20P06SLG

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 7.1. Size:118K  renesas
 np20p06ylg.pdf

NP20P06SLG NP20P06SLG

Preliminary Data Sheet NP20P06YLG R07DS0706EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Apr 17, 2012Description The NP20P06YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 47 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A) RDS(on) = 64 m MAX. (VGS = 5 V, ID = 10 A) RDS(on) = 70 m

 8.1. Size:300K  renesas
 np20p04slg.pdf

NP20P06SLG NP20P06SLG

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top