NP34N055ILE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NP34N055ILE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для NP34N055ILE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP34N055ILE даташит

 ..1. Size:289K  renesas
 np34n055hle np34n055ile np34n055sle.pdf pdf_icon

NP34N055ILE

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 5.1. Size:287K  renesas
 np34n055hhe np34n055ihe np34n055she.pdf pdf_icon

NP34N055ILE

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... NP32N055SDE, NP32N055SHE, NP32N055SLE, NP33N06YDG, NP33N075YDF, NP34N055HHE, NP34N055HLE, NP34N055IHE, IRFZ46N, NP34N055SHE, NP34N055SLE, NP35N04YLG, NP35N04YUG, NP35N055YUK, NP36N055HHE, NP36N055HLE, NP36N055IHE