Справочник MOSFET. NP35N04YUG

 

NP35N04YUG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP35N04YUG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: HSON
 

 Аналог (замена) для NP35N04YUG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP35N04YUG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  renesas
 np35n04yug.pdf pdf_icon

NP35N04YUG

Preliminary Data Sheet NP35N04YUG R07DS0016EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP35N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 10 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) Low Ciss: Ciss = 1900 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designed

 6.1. Size:207K  renesas
 np35n04ylg.pdf pdf_icon

NP35N04YUG

Preliminary Data Sheet R07DS0182EJ0100NP35N04YLG Rev.1.00Oct 22, 2010MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP35N04YLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 9.7 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) RDS(on) = 15 m MAX. (VGS = 5 V, ID = 17.5 A) Logic level

 8.1. Size:279K  st
 vnp35n07.pdf pdf_icon

NP35N04YUG

VNP35N07"OMNIFET":FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTYPE V R Iclamp DS(on) limVNP35N07 70 V 0.028 35 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT32PIN1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THETO-220POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

 8.2. Size:280K  st
 vnp35n07 2.pdf pdf_icon

NP35N04YUG

VNP35N07"OMNIFET":FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTYPE V R Iclamp DS(on) limVNP35N07 70 V 0.028 35 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT32PIN1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THETO-220POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NP33N075YDF , NP34N055HHE , NP34N055HLE , NP34N055IHE , NP34N055ILE , NP34N055SHE , NP34N055SLE , NP35N04YLG , 8N60 , NP35N055YUK , NP36N055HHE , NP36N055HLE , NP36N055IHE , NP36N055ILE , NP36N055SHE , NP36N055SLE , NP36N10SDE .

History: TJ15S10M3 | STI24NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.