NP52N06SLG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NP52N06SLG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NP52N06SLG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP52N06SLG даташит

 ..1. Size:240K  renesas
 np52n06slg.pdf pdf_icon

NP52N06SLG

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.1. Size:277K  renesas
 np52n055sug.pdf pdf_icon

NP52N06SLG

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... NP50N04YUK, NP50P03YDG, NP50P04KDG, NP50P04SDG, NP50P04SLG, NP50P06KDG, NP50P06SDG, NP52N055SUG, 13N50, NP55N03SUG, NP55N04SUG, NP55N055SDG, NP55N055SUG, NP60N03KUG, NP60N03SUG, NP60N04HLF, NP60N04ILF